Πολλά έργα μηχανικών υλικού ολοκληρώνονται στην πλακέτα οπών, αλλά υπάρχει το φαινόμενο της κατά λάθος σύνδεσης των θετικών και αρνητικών ακροδεκτών του τροφοδοτικού, το οποίο οδηγεί σε καύση πολλών ηλεκτρονικών εξαρτημάτων και ακόμη και ολόκληρη η πλακέτα καταστρέφεται και πρέπει να να συγκολληθεί ξανά, δεν ξέρω ποιος καλός τρόπος να το λύσω;
Πρώτα απ 'όλα, η απροσεξία είναι αναπόφευκτη, αν και μόνο για να διακρίνουμε το θετικό και το αρνητικό δύο καλώδια, ένα κόκκινο και ένα μαύρο, μπορεί να καλωδιωθούν μία φορά, δεν θα κάνουμε λάθη. Δέκα συνδέσεις δεν θα πάνε στραβά, αλλά 1.000; Τι γίνεται με 10.000; Αυτή τη στιγμή είναι δύσκολο να πούμε, λόγω της απροσεξίας μας, που οδήγησε σε κάψιμο ορισμένων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων και τσιπ, ο κύριος λόγος είναι ότι το ρεύμα είναι πάρα πολύ τα εξαρτήματα ambassador έχουν σπάσει, επομένως πρέπει να λάβουμε μέτρα για να αποτρέψουμε την αντίστροφη σύνδεση .
Υπάρχουν οι ακόλουθες μέθοδοι που χρησιμοποιούνται συνήθως:
Κύκλωμα αντι-αντίστροφης προστασίας τύπου σειράς διόδου 01
Μια μπροστινή δίοδος συνδέεται σε σειρά στη θετική είσοδο ισχύος για να κάνει πλήρη χρήση των χαρακτηριστικών της διόδου προς τα εμπρός και την αντίστροφη αποκοπή. Υπό κανονικές συνθήκες, ο δευτερεύων σωλήνας άγει και η πλακέτα κυκλώματος λειτουργεί.
Όταν η τροφοδοσία αντιστρέφεται, η δίοδος διακόπτεται, η παροχή ρεύματος δεν μπορεί να σχηματίσει βρόχο και η πλακέτα κυκλώματος δεν λειτουργεί, γεγονός που μπορεί να αποτρέψει αποτελεσματικά το πρόβλημα της τροφοδοσίας.
02 Κύκλωμα αντιστροφής προστασίας τύπου γέφυρας ανορθωτή
Χρησιμοποιήστε τη γέφυρα ανορθωτή για να αλλάξετε την είσοδο ρεύματος σε μια μη πολική είσοδο, είτε το τροφοδοτικό είναι συνδεδεμένο είτε αντίστροφα, η πλακέτα λειτουργεί κανονικά.
Εάν η δίοδος πυριτίου έχει πτώση πίεσης περίπου 0,6~0,8V, η δίοδος γερμανίου έχει επίσης πτώση πίεσης περίπου 0,2~0,4V, εάν η πτώση πίεσης είναι πολύ μεγάλη, ο σωλήνας MOS μπορεί να χρησιμοποιηθεί για θεραπεία κατά της αντίδρασης, η πτώση πίεσης του σωλήνα MOS είναι πολύ μικρή, μέχρι μερικά milliohm, και η πτώση πίεσης είναι σχεδόν αμελητέα.
03 κύκλωμα προστασίας αντιστροφής σωλήνα MOS
Ο σωλήνας MOS λόγω βελτίωσης της διαδικασίας, των δικών του ιδιοτήτων και άλλων παραγόντων, η αγώγιμη εσωτερική του αντίσταση είναι μικρή, πολλά είναι σε επίπεδο milliohm ή ακόμη μικρότερα, έτσι ώστε η πτώση τάσης του κυκλώματος, η απώλεια ισχύος που προκαλείται από το κύκλωμα είναι ιδιαίτερα μικρή ή ακόμη και αμελητέα , οπότε επιλέξτε το σωλήνα MOS για την προστασία του κυκλώματος είναι ένας πιο συνιστώμενος τρόπος.
1) Προστασία NMOS
Όπως φαίνεται παρακάτω: Τη στιγμή της ενεργοποίησης, η παρασιτική δίοδος του σωλήνα MOS είναι ενεργοποιημένη και το σύστημα σχηματίζει έναν βρόχο. Το δυναμικό της πηγής S είναι περίπου 0,6V, ενώ το δυναμικό της πύλης G είναι Vbat. Η τάση ανοίγματος του σωλήνα MOS είναι εξαιρετικά: Ugs = Vbat-Vs, η πύλη είναι υψηλή, τα ds του NMOS είναι ενεργοποιημένα, η παρασιτική δίοδος είναι βραχυκυκλωμένη και το σύστημα σχηματίζει έναν βρόχο μέσω της πρόσβασης ds του NMOS.
Εάν αντιστραφεί η παροχή ρεύματος, η τάση ενεργοποίησης του NMOS είναι 0, το NMOS διακόπτεται, η παρασιτική δίοδος αντιστρέφεται και το κύκλωμα αποσυνδέεται, σχηματίζοντας έτσι προστασία.
2) Προστασία PMOS
Όπως φαίνεται παρακάτω: Τη στιγμή της ενεργοποίησης, η παρασιτική δίοδος του σωλήνα MOS είναι ενεργοποιημένη και το σύστημα σχηματίζει έναν βρόχο. Το δυναμικό της πηγής S είναι περίπου Vbat-0,6V, ενώ το δυναμικό της πύλης G είναι 0. Η τάση ανοίγματος του σωλήνα MOS είναι εξαιρετικά: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), η πύλη συμπεριφέρεται ως χαμηλό επίπεδο , το ds του PMOS είναι ενεργοποιημένο, η παρασιτική δίοδος βραχυκυκλώνεται και το σύστημα σχηματίζει έναν βρόχο μέσω της πρόσβασης ds του PMOS.
Εάν αντιστραφεί η παροχή ρεύματος, η τάση ενεργοποίησης του NMOS είναι μεγαλύτερη από 0, το PMOS διακόπτεται, η παρασιτική δίοδος αντιστρέφεται και το κύκλωμα αποσυνδέεται, σχηματίζοντας έτσι προστασία.
Σημείωση: Οι σωλήνες NMOS σύρουν ds προς το αρνητικό ηλεκτρόδιο, οι σωλήνες PMOS στοιχειοσειρά ds προς το θετικό ηλεκτρόδιο και η κατεύθυνση της παρασιτικής διόδου είναι προς τη σωστά συνδεδεμένη κατεύθυνση ρεύματος.
Η πρόσβαση των πόλων D και S του σωλήνα MOS: συνήθως όταν χρησιμοποιείται ο σωλήνας MOS με κανάλι N, το ρεύμα εισέρχεται γενικά από τον πόλο D και ρέει έξω από τον πόλο S και το PMOS εισέρχεται και εξέρχεται από το S πόλο, και το αντίθετο ισχύει όταν εφαρμόζεται σε αυτό το κύκλωμα, η συνθήκη τάσης του σωλήνα MOS ικανοποιείται μέσω της αγωγής της παρασιτικής διόδου.
Ο σωλήνας MOS θα είναι πλήρως ενεργοποιημένος εφόσον υπάρχει κατάλληλη τάση μεταξύ των πόλων G και S. Μετά την αγωγή, είναι σαν ένας διακόπτης να είναι κλειστός μεταξύ D και S, και το ρεύμα είναι η ίδια αντίσταση από το D στο S ή το S στο D.
Σε πρακτικές εφαρμογές, ο πόλος G συνδέεται γενικά με μια αντίσταση και για να αποφευχθεί η διάσπαση του σωλήνα MOS, μπορεί επίσης να προστεθεί μια δίοδος ρυθμιστή τάσης. Ένας πυκνωτής που συνδέεται παράλληλα με ένα διαχωριστικό έχει ένα εφέ μαλακής εκκίνησης. Τη στιγμή που το ρεύμα αρχίζει να ρέει, ο πυκνωτής φορτίζεται και η τάση του πόλου G αυξάνεται σταδιακά.
Για το PMOS, σε σύγκριση με το NOMS, το Vgs απαιτείται να είναι μεγαλύτερο από την οριακή τάση. Επειδή η τάση ανοίγματος μπορεί να είναι 0, η διαφορά πίεσης μεταξύ του DS δεν είναι μεγάλη, κάτι που είναι πιο πλεονεκτικό από το NMOS.
04 Προστασία ασφαλειών
Πολλά κοινά ηλεκτρονικά προϊόντα μπορούν να φανούν μετά το άνοιγμα του τμήματος τροφοδοσίας με ασφάλεια, στην τροφοδοσία ρεύματος αντιστρέφεται, υπάρχει βραχυκύκλωμα στο κύκλωμα λόγω μεγάλου ρεύματος και στη συνέχεια η ασφάλεια καεί, παίζουν ρόλο στην προστασία του κύκλωμα, αλλά με αυτόν τον τρόπο η επισκευή και η αντικατάσταση είναι πιο ενοχλητική.
Ώρα ανάρτησης: Ιουλ-10-2023
